自主可控全闪存阵列
项目面向现代信息系统关键基础存储技术领域，针对解决全闪存存储系统目前普遍存在写性能差、就地更新困难和寿命短等问题，开展闪存体系和控制器管理等核心技术研究与实现，研制一套的比传统硬盘存储性能提升10倍以上、IOPS超过1,000,000的NVMe全闪存阵列企业级存储产品，开展超高性能计算、大数据分析等领域应用，形成我国具有自主知识产权的新一代数据存储技术及产业体系，推动信息产业发展的同时，不断提升国家在信息领域的安全保障。
控制器并行协同处理机制
采用Active-Active双控制器架构，控制器内部高速PCIe3.0互联，控制器与控制器协同处理算法，实现单个控制器与磁盘阵列冗余通路，保证系统的高可靠性。同时双热插拔电源、双风扇工作模式，各部件均采用冗余模块化设计，保证整个系统可以持续无缝工作。
原生闪存数据协议体系
数据缓存驻留协议，确保所有热数据驻留于缓存，大幅减少从较慢的传统磁盘中经常读取数据的情况，提高系统性能的同时，降低了系统功耗；高效“参考信息 + 标记扫描”回收算法，数据写时提供参考消息，但不影响写性能，迭代式碎片整理，占用资源少，平滑性能抖动；深度优化数据条块化技术，确保每个闪存器件完全释放带宽潜力；数据精简和空间分配方案，平滑闪存器件自身性能抖动和延长器件使用寿命。
